德国Behlke高压开关HTS40-1000-SC介绍

德国Behlke高压开关HTS40-1000-SC介绍

　　BEHLKE

　　BEHLKE电子开关、BEHLKE高压发生器。优势提供!

　　德国贝克公司地处法兰克福西北约20公里的卫星镇克龙贝格，专业生产大电压和大电流的MOSFET、IGBT、快速可恢复高电压二极管、抗感应散装陶瓷电阻、陶瓷电容器等模块。德国贝克公司具有强大的技术实力、超稳定的产品、标准模块化的设计等优点在高压高电流半导体器件行业处于***地位。特别是在某些超高压超电流领域更是***行业

　　主要应用：需要产生高电压快速脉冲的场合,例如：快速脉冲群发生器，泡克耳斯盒驱动器，雷达调节器等。它拥有纳秒级的的上升沿时间，能输出较大脉冲电流。它与传统的真空电子管相比，有速率高，输出阻抗低，寿命长，驱动简单，功耗小等特点。

　　本开关的触发输入电压为3~5.5V，输出脉冲固定宽度为200nS 。输出脉冲上升沿本质上与工作电压，负载电容，分布电容和分布电感有关。在优化的布线和布局设计下上升沿可以达到小于3nS。它的电气绝缘超过10KV, 能输出正极性和负极性的脉冲。　　连接及操作：应用时应注意电源电压不能高于5.5V以及极性不能接反,否则会有损坏电子开关的危险。为避免开机时产生过大的浪涌电流和保护开关应该限制电源电流在1A以下，或使用1A的供电电源供电。

　　在中间位置的三个引脚,它们在内部连接到一起为开关的高压负极。另三个一排的引脚也是在内部连接到一起为开关的高压正极。应用时应注意将它们分别连接到一起。

　　常见型号HTS 160-01，HTS 60-200-SCR,HTS 80-03

　　Behlke电源型(HTS50-05

　　behlke HTS 31-03-GSM

　　Behlke Electronic GmbH 编码器 HTS60-16

　　Behlke Electronic GmbH 编码器 HTS 80-03 8000 VDC30Amps Option HFS(High frequency switch)

　　Behlke Electronic GmbH 编码器 HTS50-12

　　Behlke Electronic GmbH 高压开关 HTS 81-06-GSM+OPTION I-HFB+OPTION CF VII

　　Behlke Electronic GmbH 高压电子开关 HTS 80-03 8000 VDC30Amps Option HFS(High frequency switch)

　　Behlke Electronic GmbH 高压电子开关 HTS 80-03 Option HFS,Option OT/1u

　　Behlke Electronic GmbH 高压电子开关 HTS 80-03 8000 VDC30Amps Option HFS(High frequency switch)

　　Behlke Electronic GmbH 高压电子开关 HTS 80-03 Option HFS,Option OT/1u

　　Behlke Electronic GmbH 高压电子开关 HTS 80-03 8000 VDC30Amps Option HFS(High frequency switch)

　　Behlke Electronic GmbH 高压电子开关 HTS 80-03 8000 VDC30Amps Option HFS(High frequency switch)

　　Behlke Electronic GmbH 开关 HTS 30-08-UF

　　Behlke Electronic GmbH 高压开关 HTS 81-06-GSM+OPTION I-HFB+OPTION CF VII

C1-C8 MOSFET开关是一种基于金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的开关电路。它通常由极耦电路和输入/输出保护电路组成，用于控制高电压或高电流负载的通断。

MOSFET是现代电子设备中常用的器件之一，具有低电阻、快速开关速度和高频响特性。C1-C8 MOSFET开关利用了MOSFET的优势，实现高效能的开关功能。

在C1-C8 MOSFET开关电路中，使用MOSFET作为主要的开关元件。当输入信号为高电平时，MOSFET处于导通状态，将电源连通到负载上，使负载工作；而当输入信号为低电平时，MOSFET处于截止状态，从而切断了电源与负载之间的连接，停止负载工作。

此外，C1-C8 MOSFET开关电路还会提供适当的输入和输出保护电路，以保护MOSFET和其他电路免受过电流、过压等不良影响。这些保护电路可以包括电阻、二极管、稳压器等元件，帮助防止潜在的损坏或故障。

总结来说，C1-C8 MOSFET开关是一种常用的电路设计，通过控制MOSFET的导通与截止状态，实现了对高电压或高电流负载的可靠通断控制。

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